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電子多光束掩模寫入器實現(xiàn)微芯片進一步小型化

電子多光束掩模寫入器實現(xiàn)微芯片進一步小型化

發(fā)布時間：2021-08-09

智能手機和很多其他電子設備的不斷發(fā)展可以概括為" 更小、更快、更強大 "。這些設備的核心是微芯片，作為這一發(fā)展的一部分，微芯片也需要變得更小、更好。過去在這個領域已經(jīng)取得了良好的進展，但許多制造技術(shù)現(xiàn)在已經(jīng)達到了極限。由位于維也納的 IMS 納米制造有限公司開發(fā)的一項創(chuàng)新技術(shù) ：電子多光束掩模寫入器（electron multi-beammask writer），成為改變了現(xiàn)有極限的解決方案。該設備的關(guān)鍵元件來自弗勞恩...

普發(fā)真空推出可靠低振動的HiPace 80 Neo渦輪分子泵

普發(fā)真空推出可靠低振動的HiPace 80 Neo渦輪分子泵

發(fā)布時間：2021-08-09

近日，普發(fā)真空推出了壽命更長、振動更小、噪聲更低的新型 HiPace80 Neo 渦輪分子泵，同時問世的還有普發(fā)真空專為渦輪泵轉(zhuǎn)子開發(fā)的Laser Balancing ? 激光平衡技術(shù)。采用這項專利技術(shù)的相關(guān)真空泵特別適用于包括質(zhì)譜分析、電子顯微術(shù)、檢漏儀和殘余氣體分析系統(tǒng)等對振動敏感的應用。在控溫方面，HiPace 渦輪分子泵配備集成傳感器，集成的轉(zhuǎn)子溫度測量功能可確保 HiPace 80 Neo 始終發(fā)揮最佳性能，保障其最高運行安全性。...

思特威推出Stack+RS結(jié)構(gòu) 全彩圖像傳感器SC850SL

思特威推出Stack+RS結(jié)構(gòu) 全彩圖像傳感器SC850SL

發(fā)布時間：2021-08-09

先進CMOS圖像傳感器供應商思特威科技（SmartSens Technology），推出其首顆 Stack 的 RollingShutter 架構(gòu) 800 萬像素圖像傳感器產(chǎn)品 SC850SL，作為思特威首顆 Star Light (SL) 超星光級系列產(chǎn)品，力求以 4K 超星光級夜視全彩影像賦能高端智視應用市場。大數(shù)據(jù)時代下催生的視頻結(jié)構(gòu)化技術(shù)持續(xù)走熱，該技術(shù)旨在通過提高對目標物細節(jié)特征的識別提取能力從而更高效地為后端運算獲取圖像關(guān)鍵信息。因此對 CIS 的...

液態(tài)金屬纖維氈：適用于穿戴式電子設備的創(chuàng)新導電材料

液態(tài)金屬纖維氈：適用于穿戴式電子設備的創(chuàng)新導電材料

發(fā)布時間：2021-08-09

香港理工大學研發(fā)出一種適用于穿戴式電子設備的高透氣及超彈性導電材料。此種創(chuàng)新導電材料是以涂抹或者印刷方法將液態(tài)金屬物料加于彈性纖維網(wǎng)上，這種彈性纖維網(wǎng)是以靜電紡絲程序制成，透氣度高、彈性強、能導電且導電穩(wěn)定性高，可以廣泛應用于健康監(jiān)測設備、軟體機械人和貼在皮膚上的電子裝置。本研究項目的結(jié)果（Permeable superelastic liquid-metal fibre mat enables biocompatible and monolithic stretchable elec...

用于鋰電池負極的新型硅碳復合材料Siridion? Black

用于鋰電池負極的新型硅碳復合材料Siridion? Black

發(fā)布時間：2021-08-09

全球領先的特種化學品公司贏創(chuàng)推出全新鋰電池硅碳復合型負極材料Siridion? Black，可有效提高電池的能量密度，提升快充容量和能效，從而使鋰電池性能更強大。全新高性能材料Siridion? Black進一步完善了贏創(chuàng)電池材料產(chǎn)品組合。目前，贏創(chuàng)電池材料解決方案包括正極活性材料和用于隔膜涂料的氣相金屬氧化物。“石墨是目前常用的鋰電池負極材料。然而，隨著人們對電池容量、充電時間提出更高的要求，開發(fā)新型負極材料勢在必行。...

長電科技發(fā)布用于異構(gòu)集成的XDFOI多維先進封裝技術(shù)

長電科技發(fā)布用于異構(gòu)集成的XDFOI多維先進封裝技術(shù)

發(fā)布時間：2021-08-09

全球領先的集成電路制造和技術(shù)服務提供商長電科技宣布推出 XDFOI ?全系列極高密度扇出型封裝解決方案，旨在為全球客戶高度關(guān)注的芯片異構(gòu)集成提供高性價比、高集成度、高密度互聯(lián)和高可靠性的解決方案，引領先進芯片成品制造技術(shù)創(chuàng)新邁向新高度。XDFOI ?全系列極高密度扇出型封裝解決方案是新型無硅通孔晶圓級極高密度封裝技術(shù)，相較于 2.5D 硅通孔封裝技術(shù)，該解決方案具備更高性能、更高可靠性以及更低成本等特性。該...

中微公司發(fā)布用于MiniLED量產(chǎn)的MOCVD設備

中微公司發(fā)布用于MiniLED量產(chǎn)的MOCVD設備

發(fā)布時間：2021-08-09

中微半導體設備（上海）股份有限公司推出專為高性能MiniLED量產(chǎn)而設計的Prismo UniMaxTM MOCVD設備，該設備在幫助 LED 芯片制造商提高產(chǎn)能的同時能夠有效地降低生產(chǎn)成本。中微公司 Prismo 系列 MOCVD 設備已進入全球大多數(shù)領先的氮化鎵基藍綠光 LED 制造商，此次推出的Prismo UniMax 是中微公司 Prismo 系列 MOCVD 設備的最新產(chǎn)品，該設備在同一系統(tǒng)中可配備多達 4 個反應腔。Prismo Un...

思銳智能專注ALD創(chuàng)新，突破產(chǎn)能效率邊界和性能新高度

思銳智能專注ALD創(chuàng)新，突破產(chǎn)能效率邊界和性能新高度

發(fā)布時間：2021-08-09

沉積、光刻、刻蝕以及等離子注入是半導體和超越摩爾領域制造工藝的 4 大關(guān)鍵技術(shù)。在新晶圓產(chǎn)線的投資建設中，約 80% 的投資用于購買設備，薄膜沉積設備更是占據(jù)其中約 25% 的比重。業(yè)界主流的薄膜沉積工藝主要有原子層沉積 (ALD)、物理式真空鍍膜 (PVD) 和化學式真空鍍膜 (CVD) 等。其中 ALD 屬于 CVD 的一種，是當下最先進的薄膜沉積技術(shù)。調(diào)研機構(gòu) GIR 相關(guān)報告表明，全球 ALD 設備的市場規(guī)模在 2021-202...

上海精測半導體 12寸獨立式OCD機臺與全自動Review SEM設備出機

上海精測半導體 12寸獨立式OCD機臺與全自動Review SEM設備出機

發(fā)布時間：2021-08-09

2021年7月13日，在上海精測半導體技術(shù)有限公司成立三周年之際，經(jīng)過全體精測人的努力拼搏，迎來了屬于自己的榮耀時刻：國內(nèi)首臺12寸獨立式光學線寬測量設備（OCD）與國內(nèi)唯一12寸全自動電子束晶圓缺陷復查設備（Review SEM）順利出機。國內(nèi)首臺12寸獨立式光學線寬測量機臺12 寸獨立式光學線寬測量機臺 (OCD) 是該類型的國內(nèi)首臺機臺，主要用于 45nm 以下、特別是 28nm 平面CMOS 工藝的量測，并可以延伸支持上述...

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